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我科學家成功研制超平整石墨烯薄膜

  • 發布時間2020-02-10 18:54
  • 發布人金(jin)彩(cai)集團
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近日,由南京大(da)學物理(li)學院高力波(bo)教授團隊(dui)領銜(xian),協同學院四個青年學者團隊(dui),以(yi)“質子輔助生長超平整石墨烯薄膜”為題,在《自然》雜志上發表了將質子輔助生長用于高質量石墨烯制備的研究成果。這項工作,不僅探索出了一種可控生長超平整石墨烯薄膜的方法,更為重要的是,該團隊還發現了這種生長方法的內在機制,即質子輔助,這種方法有望推廣到柔性電子學、高頻晶體管等更多重要的研究領域。

據(ju)悉,該成果(guo)所(suo)涉及的化學氣相沉(chen)積方法(CVD)生長石墨烯,是目前制備大面積、高品質單晶晶粒或者薄膜的最主要方法。然而,由于石墨烯與基質材料能夠產生強耦合作用,使得石墨烯在生長過程中會形成褶皺。這一現象嚴重限制了大尺度均一薄膜的制備,阻礙著二維材料的進一步發展應用。

“CVD石墨烯(xi)(xi)中(zhong)(zhong)的(de)(de)褶(zhe)皺(zhou)是影響(xiang)其(qi)(qi)物(wu)性(xing)的(de)(de)重要瓶頸(jing)。”高力(li)波告訴(su)記者,CVD石墨烯(xi)(xi)中(zhong)(zhong)的(de)(de)褶(zhe)皺(zhou),來源于(yu)石墨烯(xi)(xi)與生長(chang)基體(ti)的(de)(de)熱脹率差異,石墨烯(xi)(xi)生長(chang)于(yu)銅(tong)或者鉑等生長(chang)基體(ti),生長(chang)溫(wen)(wen)度(du)(du)多在600度(du)(du)以上,生長(chang)完成后降至(zhi)室(shi)溫(wen)(wen)便引(yin)起石墨烯(xi)(xi)的(de)(de)褶(zhe)皺(zhou)。褶(zhe)皺(zhou)的(de)(de)存在,會影響(xiang)石墨烯(xi)(xi)的(de)(de)優良(liang)特性(xing),然而(er),究竟在多大程度(du)(du)上能夠影響(xiang)其(qi)(qi)性(xing)能,并(bing)沒(mei)有完整(zheng)的(de)(de)對比數(shu)據(ju)。“如何(he)徹底地消(xiao)除褶(zhe)皺(zhou),并(bing)制備出超平整(zheng)的(de)(de)石墨烯(xi)(xi)薄膜,逐漸成為其(qi)(qi)品質跨越式提升(sheng)的(de)(de)重點(dian)和(he)難點(dian)。”高力(li)波說道。

研究團隊(dui)嘗試過(guo)多種消(xiao)除褶皺的方法,但(dan)效果都不(bu)盡(jin)如人(ren)意,僅剩下減弱石墨烯(xi)與(yu)生長(chang)基(ji)體之間(jian)耦合作(zuo)用(yong)的唯一途徑。在(zai)總結(jie)大量實(shi)驗的基(ji)礎上,高力(li)波團隊(dui)發現,高比例的熱氫氣(H2),會在一定程度上,弱化石墨烯與生長基體之間的耦合作用。同時,研究人員通過理論模擬發現,處在石墨烯與銅基體之間的氫,在大濃度、高溫的條件下,可以起到減弱二者耦合的作用。在熱氫氣的組分中,質子和電子可以自由穿梭于石墨烯的蜂窩狀晶格。因此,研究人員推測,質子在穿透石墨烯后,有一定概率會再次與電子組合成氫。

“課題組通過氫(qing)氣(qi)、氘氣(qi)(D2)、氦氣(qi)(He)等(deng)(deng)離子體的(de)(de)(de)作用(yong)效果(guo)對比,驗證了所設想的(de)(de)(de)模型。”高力(li)波介紹,增加質子密度,成為減(jian)弱(ruo)二(er)者(zhe)耦合作用(yong)的(de)(de)(de)關鍵(jian)途徑。有鑒(jian)于(yu)此,研究團隊采用(yong)氫(qing)氣(qi)等(deng)(deng)離子體處理褶皺(zhou)化的(de)(de)(de)石墨烯(xi)(xi)薄膜,并(bing)輔以(yi)高溫(wen),逐(zhu)步減(jian)弱(ruo)并(bing)消除石墨烯(xi)(xi)褶皺(zhou)。如(ru)果(guo)在(zai)生(sheng)長石墨烯(xi)(xi)的(de)(de)(de)同時,引(yin)入氫(qing)氣(qi)等(deng)(deng)離子體,則生(sheng)長出來(lai)的(de)(de)(de)石墨烯(xi)(xi)完(wan)全無褶皺(zhou)。

為了全方位表征無(wu)褶皺化的石墨烯薄膜,通過(guo)多種物性測量,包(bao)括掃描(miao)隧道顯微鏡(STM)觀測摩爾條紋和掃描隧道譜(STS)、角分辨光電子能譜(ARPES)直觀觀測石墨烯與銅基體的耦合作用變化、變溫拉曼光譜表征熱漲率差異等,都表明了這種超平整的石墨烯薄膜,處于與生長基體脫耦合、無摻雜的狀態。由于石墨烯薄膜的超平整特性,因此在清除石墨烯表面其他物質,尤其是石墨烯轉移過程中產生的轉移介質PMMA殘留時,表現出極易清潔的優點。

此外,為了(le)(le)凸(tu)顯超(chao)平整石墨(mo)烯薄膜的(de)優點,即(ji)大尺(chi)寸(cun)和高品(pin)質,研究人(ren)員還進(jin)行(xing)了(le)(le)不同(tong)線(xian)寬(kuan)下的(de)石墨(mo)烯量(liang)子霍爾效應的(de)測量(liang),線(xian)寬(kuan)分別為2μm、20μm、100μm、500μm。此前,有礙于大尺寸石墨烯樣品的均勻性,石墨烯量子霍爾效應出現的最大線寬為50μm,而生長出來的超平整石墨烯薄膜,量子霍爾效應出現的閾值條件,和1μm線寬時測量的本征石墨烯幾乎相當。更重要的是,對于不同線寬測量,他們的平臺出現閾值幾乎不變。“這表明只有消除褶皺,才能在最大程度上實現大尺寸石墨烯的均質化、高品質。”高力波表示,質子輔助的CVD方法不僅能夠盡可能維持石墨烯的固有性質,還將對今后制備其他種類的納米材料具有普適性。